据 IT之家 6 月 28 日消息，根据三星代工 ( ) 今天在年度三星代工论坛 (SFF 2023) 上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划于 2025 年、2027 年推出 2 纳米 SF2 工艺推出1.4纳米SF1.4技术。 同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特点。
三星的SF2工艺在今年早些时候推出的第三代3纳米规模（SF3）工艺的基础上进一步优化。 与SF3相比，SF2工艺在相同频率和复杂度下能效提升25%，在相同功耗和复杂度下性能提升12%，在相同性能和复杂度区域降低5%。 为了让SF2工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括HBM3P、PCIe Gen6和112G。
继SF2之后，三星将于2026年推出针对高性能计算（HPC）优化的SF2P，并于2027年推出针对汽车应用优化的SF2A。同样在2027年，该公司计划开始使用SF1.4（1.4纳米级）制造工艺进行量产。 三星的2nm工艺将与台积电的N2（2nm）工艺大致同步，比英特尔的20A工艺落后一年左右。
IT之家注意到，除了不断改进自身的制程技术外，三星代工还计划继续发展其射频技术。 该公司预计其 5nm 射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪。与旧的 14nm 射频工艺相比，三星的 5nm 射频预计将功耗效率提高 40%，并将晶体管密度提高约 50% 。 此外，三星将于2025年开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。
在扩大技术供应方面，三星代工仍致力于扩大其在韩国平泽和美国德克萨斯州泰勒的制造能力。 三星计划于 2023 年下半年在平泽 3 号生产线（P3）开始量产芯片。泰勒城新工厂预计将于今年年底竣工，并于 2024 年下半年开始运营三星目前的计划是到2027年将其洁净室容量比2021年增加7.3倍。
广告声明：本文所包含的外部跳转链接（包括但不限于超链接、二维码、密码等）用于传达更多信息并节省选择时间，结果仅供参考。 IT之家所有文章均包含此声明。
